PDTC123EU,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.43 грн |
| 54+ | 5.67 грн |
| 100+ | 3.49 грн |
| 500+ | 2.37 грн |
| 1000+ | 2.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC123EU,115 Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції PDTC123EU,115 за ціною від 1.82 грн до 9.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTC123EU,115 | Nexperia |
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 11612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PDTC123EU,115 | NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 20 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 2,2, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзисто кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 215 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| PDTC123EU,115 |
|
Виробник: Nexperia
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 11612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.78 грн |
| 57+ | 5.70 грн |
| 100+ | 3.14 грн |
| 500+ | 2.23 грн |
| 1000+ | 1.96 грн |
| 3000+ | 1.82 грн |
| PDTC123EU,115 |
|
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 20 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 2,2, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзисто
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 20 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 2,2, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзисто
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.42 грн |