PDTC123JMB,315 Nexperia
на замовлення 61974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12932+ | 2.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC123JMB,315 Nexperia
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції PDTC123JMB,315 за ціною від 1.98 грн до 17.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTC123JMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 8765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTC123JMB,315 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors SOT883B 50V .1A NPN RET |
на замовлення 7970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PDTC123JMB,315 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 166576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PDTC123JMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC123JMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
PDTC123JMB,315 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PDTC123JMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PDTC123JMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |