PDTC123JT,235 Nexperia USA Inc.


PDTC123JT.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC123JT,235 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції PDTC123JT,235 за ціною від 1.36 грн до 8.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTC123JT,235 PDTC123JT,235 Nexperia USA Inc. PDTC123JT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 17231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.62 грн
59+5.13 грн
100+3.14 грн
500+2.13 грн
1000+1.86 грн
2000+1.63 грн
5000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT,235 PDTC123JT,235 Nexperia PDTC123JT.pdf PDTC123J_Rev_7.pdf Digital Transistors SOT23 50V .1A NPN RE T
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT,235 PDTC123JT.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 17231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.62 грн
59+5.13 грн
100+3.14 грн
500+2.13 грн
1000+1.86 грн
2000+1.63 грн
5000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT,235 PDTC123JT.pdf PDTC123J_Rev_7.pdf
Виробник: Nexperia
Digital Transistors SOT23 50V .1A NPN RE T
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.