Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k Nexperia
PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k

PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k Nexperia

pdtc123j_ser.pdf
Код товару: 134236
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Nexperia
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 230 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 50 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 100
Монтаж: SMD
у наявності: 700 шт
  • 700 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k за ціною від 1.63 грн до 1.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 Nexperia pdtc123jt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 447000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 NEXPERIA PHGLS24124-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 NEXPERIA PHGLS24124-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 NEXPERIA PHGLS24124-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT,215 pdtc123jt.pdf
PDTC123JT,215
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 447000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT,215 PHGLS24124-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PDTC123JT,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT,215 PHGLS24124-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PDTC123JT,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT,215 PHGLS24124-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PDTC123JT,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

74ALVC08D (SO-14, Nexperia)
Код товару: 155394
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Логіка
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005AEA,115
Код товару: 149444
Додати до обраних Обраний товар
PMEG4005AEA.pdf
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1G
Код товару: 112578
Додати до обраних Обраний товар
bc846blt1g.pdf
BC846BLT1G
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 100 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 65 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV23,215
Код товару: 105492
Додати до обраних Обраний товар
bav23_ser-datasheet.pdf
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOT143B
Зворотна напруга Vrr, В: 200 В
Середній струм Iav, А: 0,225 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: два діоди
Примітка: два діоди
Монтаж: SMD
у наявності: 613 шт
  • 613 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.00 грн
10+5.60 грн
100+3.30 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10MQ100NTRPBF
Код товару: 59111
1 Додати до обраних Обраний товар
vs-10mq100npbf-datasheet.pdf
VS-10MQ100NTRPBF
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотна напруга Vrrm, В: 100 В
Прямий струм (per leg) If, А: 1 А
Падіння напруги Vf, В: 0,78 В
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, А: 30 А
у наявності: 6220 шт
  • 6114 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.