Продукція > NEXPERIA > PDTC123JT-QR
PDTC123JT-QR

PDTC123JT-QR NEXPERIA

3671529.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
Widerstandsverhältnis R1/R2: 21
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.60 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC123JT-QR NEXPERIA

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції PDTC123JT-QR за ціною від 2.25 грн до 18.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTC123JT-QR PDTC123JT-QR Виробник : Nexperia PDTC123JT-Q.pdf Digital Transistors SOT23 50V .1A NPN RET
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+14.51 грн
44+8.40 грн
61+5.30 грн
100+4.57 грн
500+4.41 грн
1000+4.33 грн
3000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT-QR PDTC123JT-QR Виробник : NEXPERIA 3671529.pdf Description: NEXPERIA - PDTC123JT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
Widerstandsverhältnis R1/R2: 21
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+18.54 грн
55+16.65 грн
105+8.62 грн
500+4.60 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT-QR PDTC123JT-QR Виробник : Nexperia pdtc123jt-q.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT-QR Виробник : NEXPERIA 183111904614482pdtc123j_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_p.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT-QR PDTC123JT-QR Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC123JT-Q.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.