PDTC123JU-QX Nexperia
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC123JU-QX Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTC123JU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC123J Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PDTC123JU-QX за ціною від 1.11 грн до 12.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PDTC123JU-QX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC123JU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PDTC123JU-QX | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors SOT323 50V .1A NPN RET |
на замовлення 2208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PDTC123JU-QX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC123JU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PDTC123JU-QX | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PDTC123JU-QX | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
PDTC123JU-QX | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PDTC123JU-QX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |


