Продукція > NEXPERIA > PDTC123YMB,315
PDTC123YMB,315

PDTC123YMB,315 Nexperia


3182pdtc123ymb.pdf Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13762+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13762
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC123YMB,315 Nexperia

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q100, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції PDTC123YMB,315 за ціною від 2.23 грн до 19.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTC123YMB,315 PDTC123YMB,315 Виробник : Nexperia 3182pdtc123ymb.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13762+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13762
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123YMB,315 PDTC123YMB,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC123YMB.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.33 грн
33+9.75 грн
100+6.07 грн
500+4.17 грн
1000+3.68 грн
2000+3.26 грн
5000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123YMB,315 PDTC123YMB,315 Виробник : Nexperia PDTC123YMB.pdf Digital Transistors 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2: 10 kΩ
на замовлення 13870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.28 грн
30+11.63 грн
100+6.34 грн
500+4.68 грн
1000+3.62 грн
2500+3.32 грн
5000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123YMB,315 Виробник : NXP Semiconductors PDTC123YMB.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 84895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13762+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13762
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123YMB,315 Виробник : NEXPERIA PDTC123YMB.pdf Description: NEXPERIA - PDTC123YMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123YMB,315 PDTC123YMB,315 Виробник : NEXPERIA 12778131097857pdtc123ymb.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123YMB,315 PDTC123YMB,315 Виробник : Nexperia 3182pdtc123ymb.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123YMB,315 PDTC123YMB,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC123YMB.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.