PDTC124XQB-QZ

PDTC124XQB-QZ Nexperia USA Inc.


PDTC143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC124XQB-QZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PDTC124XQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PDTC124XQB-QZ за ціною від 3.68 грн до 24.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTC124XQB-QZ PDTC124XQB-QZ Виробник : Nexperia pdtc143x_to_124xqb-q_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 420mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5129+6.05 грн
10000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 5129
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC124XQB-QZ PDTC124XQB-QZ Виробник : NEXPERIA 3594610.pdf Description: NEXPERIA - PDTC124XQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.74 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC124XQB-QZ PDTC124XQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.05 грн
29+11.00 грн
100+6.84 грн
500+4.70 грн
1000+4.15 грн
2000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC124XQB-QZ PDTC124XQB-QZ Виробник : Nexperia PDTC143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Digital Transistors SOT8015 50V .1A NPN RET
на замовлення 14823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.84 грн
24+14.70 грн
50+8.65 грн
100+8.11 грн
1000+7.43 грн
5000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC124XQB-QZ PDTC124XQB-QZ Виробник : NEXPERIA 3594610.pdf Description: NEXPERIA - PDTC124XQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+24.22 грн
63+13.83 грн
100+9.19 грн
500+6.74 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.