Продукція > NEXPERIA USA INC. > PDTC124XQBZ
PDTC124XQBZ

PDTC124XQBZ Nexperia USA Inc.

PDTC143X_TO_124XQB_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC124XQBZ Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 340 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції PDTC124XQBZ за ціною від 2.68 грн до 19.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTC124XQBZ PDTC124XQBZ Nexperia USA Inc. PDTC143X_TO_124XQB_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.24 грн
24+12.53 грн
100+6.09 грн
500+4.77 грн
1000+3.32 грн
2000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC124XQBZ PDTC124XQBZ NEXPERIA 3587023.pdf Description: NEXPERIA - PDTC124XQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 22
MSL: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC124XQBZ PDTC124XQBZ NEXPERIA 3587023.pdf Description: NEXPERIA - PDTC124XQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 22
MSL: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC124XQBZ Nexperia PDTC143X_TO_124XQB_SER.pdf PDTC124XQBZ
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13101+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 13101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC124XQBZ Nexperia PDTC143X_TO_124XQB_SER.pdf PDTC124XQBZ
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13101+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 13101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC124XQBZ PDTC143X_TO_124XQB_SER.pdf
PDTC124XQBZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.24 грн
24+12.53 грн
100+6.09 грн
500+4.77 грн
1000+3.32 грн
2000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC124XQBZ 3587023.pdf
PDTC124XQBZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC124XQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 22
MSL: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC124XQBZ 3587023.pdf
PDTC124XQBZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC124XQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 22
MSL: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC124XQBZ PDTC143X_TO_124XQB_SER.pdf
Виробник: Nexperia
PDTC124XQBZ
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13101+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 13101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC124XQBZ PDTC143X_TO_124XQB_SER.pdf
Виробник: Nexperia
PDTC124XQBZ
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13101+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 13101 шт
В кошику  од. на суму  грн.