
PDTC143EQAZ NXP Semiconductors
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9521+ | 2.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC143EQAZ NXP Semiconductors
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 280 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції PDTC143EQAZ за ціною від 2.12 грн до 18.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PDTC143EQAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTC143EQAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTC143EQAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTC143EQAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTC143EQAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PDTC143EQAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143EQAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
PDTC143EQAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |