Продукція > NEXPERIA > PDTC143EQC-QZ
PDTC143EQC-QZ

PDTC143EQC-QZ NEXPERIA


3594609.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC143EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.45 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC143EQC-QZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTC143EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PDTC143EQC-QZ за ціною від 0.77 грн до 17.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTC143EQC-QZ PDTC143EQC-QZ Виробник : Nexperia pdtc143_114_124_144eqc-q_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4055+3.01 грн
4099+2.98 грн
5748+2.12 грн
7576+1.55 грн
9203+1.18 грн
10068+1.04 грн
15000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC143EQC-QZ PDTC143EQC-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC143_114_124_144EQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC143EQC-QZ PDTC143EQC-QZ Виробник : Nexperia pdtc143_114_124_144eqc-q_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+7.79 грн
131+4.63 грн
132+4.58 грн
134+4.38 грн
217+2.50 грн
250+2.37 грн
500+1.69 грн
1000+1.28 грн
3000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC143EQC-QZ PDTC143EQC-QZ Виробник : NEXPERIA 3594609.pdf Description: NEXPERIA - PDTC143EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+10.48 грн
132+6.27 грн
278+2.97 грн
500+2.45 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC143EQC-QZ PDTC143EQC-QZ Виробник : Nexperia PDTC143_114_124_144EQC-Q_SER.pdf Digital Transistors PDTC143EQC-Q/SOT8009/DFN1412D-
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.31 грн
37+9.39 грн
100+3.75 грн
1000+3.02 грн
5000+2.65 грн
25000+2.21 грн
50000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC143EQC-QZ PDTC143EQC-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC143_114_124_144EQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.51 грн
31+10.19 грн
100+6.31 грн
500+4.34 грн
1000+3.83 грн
2000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.