Продукція > NEXPERIA > PDTC143XQB-QZ
PDTC143XQB-QZ

PDTC143XQB-QZ Nexperia


pdtc143x_to_124xqb-q_ser.pdf Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+2.80 грн
391+1.54 грн
395+1.53 грн
399+1.46 грн
520+1.04 грн
523+0.99 грн
678+0.76 грн
1000+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC143XQB-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC143XQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PDTC143XQB-QZ за ціною від 1.90 грн до 17.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTC143XQB-QZ PDTC143XQB-QZ Виробник : Nexperia pdtc143x_to_124xqb-q_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4167+2.92 грн
4323+2.82 грн
4478+2.72 грн
4644+2.53 грн
4839+2.25 грн
6000+2.07 грн
15000+1.98 грн
30000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 4167
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC143XQB-QZ PDTC143XQB-QZ Виробник : NEXPERIA 3594610.pdf Description: NEXPERIA - PDTC143XQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.16 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC143XQB-QZ PDTC143XQB-QZ Виробник : Nexperia PDTC143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Digital Transistors 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors
на замовлення 14869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.50 грн
42+8.19 грн
100+5.50 грн
500+4.40 грн
1000+3.38 грн
2500+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC143XQB-QZ PDTC143XQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.67 грн
32+9.71 грн
100+6.05 грн
500+4.16 грн
1000+3.67 грн
2000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC143XQB-QZ PDTC143XQB-QZ Виробник : NEXPERIA 3594610.pdf Description: NEXPERIA - PDTC143XQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.29 грн
82+10.04 грн
133+6.21 грн
500+4.16 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC143XQB-QZ PDTC143XQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.