PDTC143ZQB-QZ Nexperia
на замовлення 28889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5245+ | 2.33 грн |
| 5282+ | 2.31 грн |
| 5320+ | 2.29 грн |
| 5377+ | 2.19 грн |
| 5416+ | 2.01 грн |
| 6000+ | 1.92 грн |
| 15000+ | 1.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC143ZQB-QZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTC143ZQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PDTC143ZQB-QZ за ціною від 1.79 грн до 17.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTC143ZQB-QZ | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PDTC143ZQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTC143ZQB-QZ | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 28889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTC143ZQB-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC143ZQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PDTC143ZQB-QZ | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PDTC143ZQB-Q/SOT8015/DFN1110D- |
на замовлення 21602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PDTC143ZQB-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| PDTC143ZQB-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 420mW Automotive 3-Pin DFN-D T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
|
PDTC143ZQB-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |