Продукція > NEXPERIA > PDTC144EQB-QZ
PDTC144EQB-QZ

PDTC144EQB-QZ NEXPERIA


3594608.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC144EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.98 грн
1000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC144EQB-QZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTC144EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PDTC144EQB-QZ за ціною від 0.85 грн до 18.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTC144EQB-QZ PDTC144EQB-QZ Виробник : Nexperia pdtc143_114_124_144eqb-q_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4033+3.02 грн
4077+2.99 грн
5682+2.14 грн
7538+1.56 грн
8876+1.22 грн
9555+1.09 грн
15000+0.92 грн
30000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 4033
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC144EQB-QZ PDTC144EQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC144EQB-QZ PDTC144EQB-QZ Виробник : Nexperia pdtc143_114_124_144eqb-q_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+7.78 грн
130+4.65 грн
131+4.60 грн
133+4.40 грн
216+2.50 грн
250+2.38 грн
500+1.71 грн
1000+1.29 грн
3000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC144EQB-QZ PDTC144EQB-QZ Виробник : NEXPERIA 3594608.pdf Description: NEXPERIA - PDTC144EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.03 грн
127+6.51 грн
282+2.92 грн
500+2.51 грн
1000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC144EQB-QZ PDTC144EQB-QZ Виробник : Nexperia PDTC143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf Digital Transistors PDTC144EQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.27 грн
36+9.45 грн
100+3.67 грн
1000+3.16 грн
5000+2.64 грн
25000+2.28 грн
50000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC144EQB-QZ PDTC144EQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.26 грн
29+10.63 грн
100+6.59 грн
500+4.53 грн
1000+3.99 грн
2000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.