PDTD113EQAZ NXP Semiconductors
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8219+ | 2.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTD113EQAZ NXP Semiconductors
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 325 mW, Frequency - Transition: 210 MHz, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PDTD113EQAZ за ціною від 2.66 грн до 3.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTD113EQAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFNPackaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 325 mW Frequency - Transition: 210 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| PDTD113EQAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTD113EQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
PDTD113EQAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 325 mW Frequency - Transition: 210 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||
 |
PDTD113EQAZ | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PDTD113EQA/SOT1215/DFN1010D-3 |
товар відсутній |