Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > PDTD113EQAZ
PDTD113EQAZ

PDTD113EQAZ NXP Semiconductors

PDTD113_123_143_114EQA_SER.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Description: TRANS PREBIAS 50V 500MA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7322+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 7322
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTD113EQAZ NXP Semiconductors

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 325 mW, Frequency - Transition: 210 MHz, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції PDTD113EQAZ за ціною від 2.79 грн до 3.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTD113EQAZ PDTD113EQAZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTD113_123_143_114EQA_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 325 mW
Frequency - Transition: 210 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 69955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7322+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 7322
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113EQAZ PDTD113EQAZ Виробник : Nexperia pdtd113123143114eqaser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 69955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9175+3.32 грн
10274+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 9175
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113EQAZ Виробник : NEXPERIA PDTD113_123_143_114EQA_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTD113EQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 69955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113EQAZ Виробник : NXP Semiconductors PDTD113_123_143_114EQA_SER.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9175+3.32 грн
10274+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 9175
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113EQAZ PDTD113EQAZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTD113_123_143_114EQA_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 325 mW
Frequency - Transition: 210 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113EQAZ PDTD113EQAZ Виробник : Nexperia PDTD113_123_143_114EQA_SER.pdf Digital Transistors NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.