PDTD113ET,215 Nexperia USA Inc.


PDTD113E_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTD113ET,215 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції PDTD113ET,215 за ціною від 3.37 грн до 15.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Nexperia USA Inc. PDTD113E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+8.98 грн
100+5.58 грн
500+3.83 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Nexperia PDTD113E_SER.pdf Digital Transistors PDTD113ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ET,215 PDTD113E_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.68 грн
34+8.98 грн
100+5.58 грн
500+3.83 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ET,215 PDTD113E_SER.pdf
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PDTD113ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.