Продукція > NEXPERIA > PDTD113ET,215
PDTD113ET,215

PDTD113ET,215 Nexperia

3137pdtd113e_ser.pdf Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2858+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 2858
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTD113ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTD113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTD113E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PDTD113ET,215 за ціною від 1.66 грн до 20.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : Nexperia 3137pdtd113e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14286+2.15 грн
100000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 14286
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : Nexperia 3137pdtd113e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14286+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 14286
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : Nexperia 3137pdtd113e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14286+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 14286
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTD113E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Current gain: 33
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.43 грн
38+10.40 грн
46+8.75 грн
55+7.21 грн
100+4.65 грн
372+2.49 грн
1023+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTD113E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.55 грн
36+8.98 грн
100+5.58 грн
500+3.83 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : Nexperia PDTD113E_SER.pdf Digital Transistors SOT23 50V .5A NPN RET
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.68 грн
35+10.00 грн
100+5.45 грн
500+3.93 грн
1000+3.48 грн
3000+3.03 грн
6000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTD113E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Current gain: 33
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.31 грн
23+12.96 грн
28+10.50 грн
33+8.65 грн
100+5.58 грн
372+2.99 грн
1023+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : NEXPERIA PHGLS20463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTD113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+20.28 грн
68+12.56 грн
167+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : NEXPERIA PHGLS20463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTD113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : NEXPERIA 182697367128750pdtd113e_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_p.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : Nexperia 3137pdtd113e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTD113E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.