Продукція > NEXPERIA > PDTD113ZT,215

PDTD113ZT,215 NEXPERIA


PDTD113ZT.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Current gain: 70
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base-emitter resistor: 10kΩ
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.5A
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.84 грн
53+7.97 грн
90+4.66 грн
102+4.13 грн
250+3.10 грн
500+2.80 грн
1000+2.58 грн
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 42 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTD113ZT,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PDTD113ZT,215 за ціною від 1.68 грн до 17.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Nexperia USA Inc. PDTD113ZT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.27 грн
100+6.39 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 NEXPERIA 390202.pdf Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 NEXPERIA 390202.pdf Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ZT,215 NXP/Nexperia/We-En PDTD113ZT.pdf Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 500 мА, hFE = 70 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 1, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. в
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.24 грн
30+10.27 грн
100+6.39 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ZT,215 390202.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ZT,215 390202.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT.pdf
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 500 мА, hFE = 70 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 1, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. в
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.