
PDTD113ZT-QR Nexperia

Digital Transistors NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kohm, R2 = 10 kohm
на замовлення 8719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 22.26 грн |
23+ | 14.85 грн |
100+ | 8.17 грн |
500+ | 5.05 грн |
1000+ | 3.64 грн |
3000+ | 3.49 грн |
6000+ | 3.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTD113ZT-QR Nexperia
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції PDTD113ZT-QR за ціною від 2.59 грн до 2.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDTD113ZT-QR | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||
PDTD113ZT-QR | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||
![]() |
PDTD113ZT-QR | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
PDTD113ZT-QR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
PDTD113ZT-QR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |