Продукція > NXP > PDTD114EU135

PDTD114EU135 NXP


PDTD1XXXU_SER.pdf Виробник: NXP
Description: NXP - PDTD114EU135 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10245+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 10245
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTD114EU135 NXP

Description: TRANS PREBIAS, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW, Frequency - Transition: 225 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції PDTD114EU135

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTD114EU135 PDTD114EU135 Виробник : NXP USA Inc. PDTD1XXXU_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 225 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.