PDTD123ET,215 Nexperia
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5837+ | 5.55 грн |
| 10000+ | 4.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTD123ET,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTD123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PDTD123ET,215 за ціною від 2.54 грн до 35.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTD123ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
 Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Type of transistor: NPN Mounting: SMD Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Current gain: 40 Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT |
на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PDTD123ET,215 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PDTD123ET/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PDTD123ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTD123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PDTD123ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| PDTD123ET,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, hFE = 40 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 2,2, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
PDTD123ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
PDTD123ET,215 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |