Продукція > NEXPERIA > PDTD123ET,215
PDTD123ET,215

PDTD123ET,215 NEXPERIA

1513592718496639pdtd123e_ser.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTD123ET,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTD123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PDTD123ET,215 за ціною від 3.44 грн до 37.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTD123ET,215 PDTD123ET,215 Виробник : Nexperia 1513592718496639pdtd123e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5837+5.32 грн
10000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 5837
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123ET,215 Виробник : Nexperia PDTD123E_SER.pdf Digital Transistors PDTD123ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+23.04 грн
27+13.29 грн
50+8.27 грн
100+7.20 грн
1000+4.98 грн
3000+3.83 грн
6000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTD123E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.06 грн
19+21.85 грн
23+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTD123E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.07 грн
11+27.23 грн
14+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123ET,215 Виробник : NEXPERIA PHGLS19756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTD123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.70 грн
61+14.08 грн
100+10.05 грн
500+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTD123E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTD123E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123ET,215 Виробник : NXP USA Inc. PDTD123E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.