Продукція > NEXPERIA > PDTD123ET,215
PDTD123ET,215

PDTD123ET,215 Nexperia

1513592718496639pdtd123e_ser.pdf
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5837+6.02 грн
10000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 5837 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTD123ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTD123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PDTD123ET,215 за ціною від 3.06 грн до 15.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTD123ET,215 PDTD123ET,215 NEXPERIA PDTD123E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Collector current: 0.5A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Current gain: 40
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Case: SOT23; TO236AB
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+15.96 грн
42+9.97 грн
53+7.87 грн
63+6.57 грн
100+5.40 грн
500+3.48 грн
1000+3.20 грн
1300+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123ET,215 Nexperia USA Inc. PDTD123E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123ET,215 Nexperia PDTD123E_SER.pdf Digital Transistors PDTD123ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123ET,215 NEXPERIA PHGLS19756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTD123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123E_SER.pdf
PDTD123ET,215
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Collector current: 0.5A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Current gain: 40
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Case: SOT23; TO236AB
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+15.96 грн
42+9.97 грн
53+7.87 грн
63+6.57 грн
100+5.40 грн
500+3.48 грн
1000+3.20 грн
1300+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123E_SER.pdf
PDTD123ET,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123E_SER.pdf
PDTD123ET,215
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PDTD123ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PHGLS19756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PDTD123ET,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTD123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.