Продукція > NEXPERIA > PDTD123ET,215

PDTD123ET,215 NEXPERIA


PDTD123E_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT23; TO236AB
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
28+16.29 грн
42+10.17 грн
53+8.04 грн
63+6.71 грн
100+5.51 грн
500+3.56 грн
1000+3.26 грн
1300+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTD123ET,215 NEXPERIA

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Resistors Included: R1 and R2, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236AB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q100, Grade: Automotive, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Power - Max: 250 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA.

Інші пропозиції PDTD123ET,215 за ціною від 3.14 грн до 21.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PDTD123ET,215 PDTD123ET,215 Nexperia PDTD123E_SER.pdf Digital Transistors PDTD123ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.02 грн
27+12.13 грн
50+7.54 грн
100+6.56 грн
1000+4.54 грн
3000+3.49 грн
6000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123ET,215 Nexperia USA Inc. PDTD123E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123E_SER.pdf
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PDTD123ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+21.02 грн
27+12.13 грн
50+7.54 грн
100+6.56 грн
1000+4.54 грн
3000+3.49 грн
6000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123ET,215 PDTD123E_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.