
PDTD123TT,215 Nexperia
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
21000+ | 1.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTD123TT,215 Nexperia
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100, Resistors Included: R1 Only.
Інші пропозиції PDTD123TT,215 за ціною від 1.63 грн до 21.20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PDTD123TT,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTD123TT,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTD123TT,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTD123TT,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
PDTD123TT,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTD123TT,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTD123TT,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTD123TT,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTD123TT,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 66968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
PDTD123TT,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only |
товару немає в наявності |