PDTD123YQAZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 325 mW
Frequency - Transition: 210 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8959+ | 2.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTD123YQAZ Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 325 mW, Frequency - Transition: 210 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції PDTD123YQAZ за ціною від 2.78 грн до 27.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTD123YQAZ | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTD123YQAZ | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kohm, R2 = 10 kohm |
на замовлення 4997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PDTD123YQAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PDTD123YQAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTD123YQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PDTD123YQAZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PDTD123YQAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 325 mW Frequency - Transition: 210 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |