Продукція > NEXPERIA > PDTD123YT,215
PDTD123YT,215

PDTD123YT,215 Nexperia

PDTD123Y_SER.pdf
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PDTD123YT/SOT23/TO-236AB
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+20.28 грн
27+12.13 грн
50+8.66 грн
100+7.54 грн
3000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTD123YT,215 Nexperia

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Power - Max: 250 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236AB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PDTD123YT,215

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PDTD123YT.215 NXP (SOT-23) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Nexperia USA Inc. PDTD123Y_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Nexperia USA Inc. PDTD123Y_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Resistors Included: R1 and R2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 NXP USA Inc. PDTD123Y_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123YT.215
Виробник: NXP
(SOT-23) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123YT,215 PDTD123Y_SER.pdf
PDTD123YT,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123YT,215 PDTD123Y_SER.pdf
PDTD123YT,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Resistors Included: R1 and R2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD123YT,215 PDTD123Y_SER.pdf
PDTD123YT,215
Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.