на замовлення 555000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7654+ | 1.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTD123YT,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTD123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTD123Y Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PDTD123YT,215 за ціною від 1.60 грн до 31.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 555000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PDTD123YT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2088000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 798000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 798000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 483000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 414000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 414000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTD123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTD123Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4115990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTD123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTD123Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTD123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTD123Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PDTD123YT/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 10kΩ Base resistor: 2.2kΩ Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN |
на замовлення 8950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 10kΩ Base resistor: 2.2kΩ Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
PDTD123YT,215 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |






