PDTD143EQAZ Nexperia


PDTD113_123_143_114EQA_SER.pdf
Виробник: Nexperia
Digital Transistors SOT1215 50V .5A NPN RET
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.52 грн
20+16.04 грн
100+8.84 грн
500+5.45 грн
1000+4.00 грн
2500+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTD143EQAZ Nexperia

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN, Qualification: AEC-Q101, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 210 MHz, Power - Max: 325 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DFN1010D-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PDTD143EQAZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTD143EQAZ PDTD143EQAZ Nexperia USA Inc. PDTD113_123_143_114EQA_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 210 MHz
Power - Max: 325 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN1010D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTD143EQAZ PDTD113_123_143_114EQA_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 210 MHz
Power - Max: 325 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN1010D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.