Продукція > NEXPERIA USA INC. > PEMB11,115
PEMB11,115

PEMB11,115 Nexperia USA Inc.

PEMB11.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMB11,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PEMB11,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PEMB11,115 за ціною від 2.73 грн до 34.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PEMB11,115 PEMB11,115 Nexperia USA Inc. PEMB11.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
16+19.93 грн
100+12.57 грн
500+8.80 грн
1000+7.84 грн
2000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEMB11,115 Nexperia PEMB11.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.00 грн
8000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEMB11,115 PEMB11.pdf
PEMB11,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.10 грн
16+19.93 грн
100+12.57 грн
500+8.80 грн
1000+7.84 грн
2000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEMB11,115 PEMB11.pdf
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+4.00 грн
8000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.