Продукція > NEXPERIA > PEMB9,315
PEMB9,315

PEMB9,315 Nexperia

PEMB9_PUMB9.pdf Виробник: Nexperia
Digital Transistors SOT666 50V .1A PNP/PNP RET
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.16 грн
12+29.86 грн
100+17.89 грн
500+14.72 грн
1000+11.63 грн
2500+11.02 грн
8000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMB9,315 Nexperia

Description: NEXPERIA - PEMB9,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Produktpalette: PEMB9 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PEMB9,315 за ціною від 7.96 грн до 7.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PEMB9,315 Виробник : NXP PEMB9_PUMB9.pdf Description: NXP - PEMB9,315 - SMALL SIGNAL DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 594000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5219+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 5219
В кошику  од. на суму  грн.
PEMB9,315 PEMB9,315 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002884498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PEMB9,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Produktpalette: PEMB9 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEMB9,315 PEMB9,315 Виробник : NXP Semiconductors PEMB9_PUMB9.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEMB9,315 PEMB9,315 Виробник : NXP Semiconductors PEMB9_PUMB9.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.