Продукція > NEXPERIA > PEMD12,115
PEMD12,115

PEMD12,115 NEXPERIA

3934540.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PEMD12,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PEMD12 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+18.57 грн
500+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMD12,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PEMD12,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PEMD12 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції PEMD12,115 за ціною від 5.17 грн до 43.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PEMD12,115 PEMD12,115 Nexperia PEMD12.pdf Digital Transistors PEMD12/SOT666/SOT6
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.26 грн
17+19.43 грн
100+10.68 грн
500+7.96 грн
1000+7.05 грн
2000+6.35 грн
4000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD12,115 PEMD12,115 NEXPERIA 3934540.pdf Description: NEXPERIA - PEMD12,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PEMD12 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.58 грн
29+28.68 грн
100+18.57 грн
500+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD12,115 PEMD12,115 Nexperia USA Inc. PEMD12.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD12,115 PEMD12.pdf
PEMD12,115
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PEMD12/SOT666/SOT6
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+32.26 грн
17+19.43 грн
100+10.68 грн
500+7.96 грн
1000+7.05 грн
2000+6.35 грн
4000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD12,115 3934540.pdf
PEMD12,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PEMD12,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PEMD12 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+43.58 грн
29+28.68 грн
100+18.57 грн
500+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD12,115 PEMD12.pdf
PEMD12,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.