Продукція > NEXPERIA > PEMD13,115
PEMD13,115

PEMD13,115 NEXPERIA

pemd13_pumd13.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMD13,115 NEXPERIA

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-666, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції PEMD13,115 за ціною від 6.03 грн до 34.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PEMD13,115 PEMD13,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMD13.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
14+23.45 грн
100+11.83 грн
500+9.84 грн
1000+7.66 грн
2000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD13,115 PEMD13,115 Виробник : Nexperia PEMD13.pdf Digital Transistors 50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped transistor; R1 = 47 kΩ, R2 = open
на замовлення 6370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.25 грн
15+23.35 грн
100+12.95 грн
500+9.42 грн
1000+6.99 грн
2000+6.47 грн
4000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD13,115 Виробник : NXP Semiconductors PEMD13.pdf
на замовлення 14610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD13,115 Виробник : NEXPERIA PEMD13.pdf PEMD13.115 Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD13,115 PEMD13,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMD13.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.