Продукція > NEXPERIA > PEMD2,115
PEMD2,115

PEMD2,115 NEXPERIA

66456220255427pemd2_pimd2_pumd2.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMD2,115 NEXPERIA

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SOT-666, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції PEMD2,115 за ціною від 5.66 грн до 35.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PEMD2,115 PEMD2,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMD2.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD2,115 PEMD2,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMD2.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
16+19.46 грн
100+12.25 грн
500+8.58 грн
1000+7.64 грн
2000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD2,115 PEMD2,115 Виробник : Nexperia PEMD2.pdf Digital Transistors 50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor;R1 = 22 kohm, R2 = 22 kohm
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.10 грн
16+21.40 грн
100+11.77 грн
500+8.83 грн
1000+7.43 грн
2000+6.33 грн
4000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD2,115 Виробник : NEXPERIA PEMD2.pdf PEMD2.115 Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.