Продукція > NEXPERIA > PEMD3,115
PEMD3,115

PEMD3,115 Nexperia

PEMD3.pdf
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PEMD3/SOT666/SOT6
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.60 грн
18+18.19 грн
50+15.54 грн
100+9.99 грн
500+7.49 грн
1000+6.66 грн
2000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMD3,115 Nexperia

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-666.

Інші пропозиції PEMD3,115 за ціною від 6.42 грн до 31.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PEMD3,115 PEMD3,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMD3.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.22 грн
17+18.19 грн
100+11.49 грн
500+8.05 грн
1000+7.16 грн
2000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD3,115 PEMD3,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMD3.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.