Продукція > NEXPERIA > PEMD4,115
PEMD4,115

PEMD4,115 Nexperia

PEMD4.pdf
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PEMD4/SOT666/SOT6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.00 грн
11+30.72 грн
100+16.91 грн
500+10.70 грн
1000+9.60 грн
2000+8.42 грн
4000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMD4,115 Nexperia

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-666, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції PEMD4,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PEMD4,115 PEMD4,115 Nexperia USA Inc. PEMD4.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD4,115 PEMD4,115 Nexperia USA Inc. PEMD4.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD4,115 PEMD4.pdf
PEMD4,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD4,115 PEMD4.pdf
PEMD4,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.