PEMD4,115

PEMD4,115 NEXPERIA


PHGLS26439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PEMD4,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PEMD4 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.87 грн
500+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMD4,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PEMD4,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PEMD4 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PEMD4,115 за ціною від 4.55 грн до 35.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PEMD4,115 PEMD4,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS26439-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PEMD4,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PEMD4 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+30.05 грн
39+21.49 грн
100+10.87 грн
500+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD4,115 PEMD4,115 Виробник : Nexperia PEMD4.pdf Digital Transistors 50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 47 kohm, R2 = 47 kohm and R1 = 2.2 kohm, R2 = 47 kohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.19 грн
500+12.11 грн
2000+11.08 грн
4000+6.24 грн
8000+4.99 грн
24000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD4,115 PEMD4,115 Виробник : NEXPERIA pemd4.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD4,115 Виробник : NEXPERIA PEMD4.pdf PEMD4.115 Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD4,115 PEMD4,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMD4.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD4,115 PEMD4,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMD4.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.