Продукція > NEXPERIA > PEMD6,115

PEMD6,115 Nexperia

Name: PEMD6,115
Brand: Nexperia
SKU: 152575-4
Price: 370.08 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia
Digital Transistors NRND for Automotive Applications PEMD6/SOT666/SOT6

на замовлення 3227 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	30.84 грн
18+	19.45 грн
100+	8.42 грн
1000+	6.08 грн
8000+	4.98 грн
24000+	4.61 грн
100000+	4.47 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PEMD6,115 Nexperia

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SOT-666, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції PEMD6,115

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
PEMD6,115	Виробник : NEXPERIA	PEMD6.115 Complementary transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PEMD6,115	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PEMD6,115	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.