Продукція > NEXPERIA USA INC. > PEMD9,115
PEMD9,115

PEMD9,115 Nexperia USA Inc.

PEMD9.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMD9,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PEMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PEMD9 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PEMD9,115 за ціною від 4.60 грн до 33.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PEMD9,115 PEMD9,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002884452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PEMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PEMD9 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.80 грн
500+9.59 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD9,115 PEMD9,115 Виробник : Nexperia PEMD9.pdf Digital Transistors NRND for Automotive Applications PEMD9/SOT666/SOT6
на замовлення 12890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.66 грн
17+20.48 грн
100+8.68 грн
1000+6.49 грн
4000+5.89 грн
8000+5.66 грн
24000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD9,115 PEMD9,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMD9.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 7939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.47 грн
16+19.65 грн
100+12.39 грн
500+8.69 грн
1000+7.74 грн
2000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD9,115 PEMD9,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002884452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PEMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PEMD9 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.95 грн
39+21.92 грн
100+13.80 грн
500+9.59 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD9,115 Виробник : NEXPERIA PEMD9.pdf PEMD9.115 Complementary transistors
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.95 грн
145+7.65 грн
400+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD9,115 PEMD9,115 Виробник : Nexperia pemd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD9,115 PEMD9,115 Виробник : Nexperia pemd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD9,115 PEMD9,115 Виробник : NEXPERIA 1745366456763973pemd9_pumd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.