Продукція > NEXPERIA USA INC. > PEMD9,315
PEMD9,315

PEMD9,315 Nexperia USA Inc.

PEMD9.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMD9,315 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-666, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції PEMD9,315 за ціною від 6.25 грн до 30.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PEMD9,315 PEMD9,315 Nexperia USA Inc. PEMD9.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.02 грн
17+17.72 грн
100+11.19 грн
500+7.84 грн
1000+6.98 грн
2000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD9,315 PEMD9,315 Nexperia PEMD9.pdf Digital Transistors PEMD9/SOT666/SOT6
на замовлення 7865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD9,315 PEMD9.pdf
PEMD9,315
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.02 грн
17+17.72 грн
100+11.19 грн
500+7.84 грн
1000+6.98 грн
2000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEMD9,315 PEMD9.pdf
PEMD9,315
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PEMD9/SOT666/SOT6
на замовлення 7865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.