Продукція > NEXPERIA USA INC. > PEMH10,115
PEMH10,115

PEMH10,115 Nexperia USA Inc.

PEMH10.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMH10,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PEMH10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PEMH10,115 за ціною від 2.49 грн до 37.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PEMH10,115 PEMH10,115 Виробник : NEXPERIA 2341399.pdf Description: NEXPERIA - PEMH10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.61 грн
500+9.81 грн
1000+6.68 грн
5000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PEMH10,115 PEMH10,115 Виробник : NEXPERIA 2341399.pdf Description: NEXPERIA - PEMH10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.09 грн
36+22.94 грн
100+14.61 грн
500+9.81 грн
1000+6.68 грн
5000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PEMH10,115 PEMH10,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMH10.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
14+23.45 грн
100+11.83 грн
500+9.84 грн
1000+7.66 грн
2000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PEMH10,115 PEMH10,115 Виробник : Nexperia PEMH10.pdf Digital Transistors 50 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ
на замовлення 23438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.51 грн
15+23.35 грн
100+12.95 грн
500+9.49 грн
1000+8.24 грн
2000+7.95 грн
4000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PEMH10,115 Виробник : NXP PEMH10.pdf 2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 2.2k+47k PEMH10,115 PEMH10 TPEMH10
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
PEMH10,115 Виробник : NEXPERIA PEMH10.pdf PEMH10.115 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.