PEMH11,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 6.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PEMH11,115 Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-666, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції PEMH11,115 за ціною від 6.01 грн до 31.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PEMH11,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PEMH11,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PEMH11/SOT666/SOT6 |
на замовлення 7146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PEMH11,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 7490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PEMH11,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
PEMH11,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
PEMH11,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SOT666; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT666 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 230MHz Base resistor: 10kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 10kΩ |
товару немає в наявності |


