PEMH13,115 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PEMH13,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PEMH13 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.61 грн |
| 500+ | 12.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PEMH13,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PEMH13,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PEMH13 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PEMH13,115 за ціною від 5.17 грн до 45.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PEMH13,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors SOT666 50V .1A NPN/NPN RET |
на замовлення 20032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PEMH13,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PEMH13,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PEMH13,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-666 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PEMH13 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PEMH13,115 | Виробник : NXP |
2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 4.7k+47k PEMH13,115, PEMH13,315 PEMH13 TPEMH13 кількість в упаковці: 120 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PEMH13,115 | Виробник : NXP |
2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 4.7k+47k PEMH13,115, PEMH13,315 PEMH13 TPEMH13 кількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PEMH13,115 | Виробник : NXP |
2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 4.7k+47k PEMH13,115, PEMH13,315 PEMH13 TPEMH13 кількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PEMH13,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PEMH13,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PEMH13,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |