PEMH15,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 32.36 грн |
| 18+ | 18.94 грн |
| 100+ | 11.96 грн |
| 500+ | 8.38 грн |
| 1000+ | 7.46 грн |
| 2000+ | 6.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PEMH15,115 Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SOT-666, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції PEMH15,115 за ціною від 5.59 грн до 34.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PEMH15,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors SOT666 50V .1A NPN/NPN RET |
на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PEMH15,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |