Продукція > NEXPERIA > PEMH2,115
PEMH2,115

PEMH2,115 Nexperia

PEMH2.pdf
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PEMH2/SOT666/SOT6
на замовлення 11943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.94 грн
16+20.09 грн
100+11.04 грн
500+8.32 грн
1000+7.41 грн
2000+6.64 грн
4000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMH2,115 Nexperia

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-666.

Інші пропозиції PEMH2,115 за ціною від 14.14 грн до 40.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PEMH2,115 PEMH2,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMH2.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.10 грн
13+23.77 грн
50+17.22 грн
100+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PEMH2,115 PEMH2,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMH2.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.