PEMT1,115 Nexperia
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.9 грн |
15+ | 20.45 грн |
100+ | 11.79 грн |
1000+ | 6.19 грн |
4000+ | 5.53 грн |
8000+ | 4.79 грн |
24000+ | 4.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PEMT1,115 Nexperia
Description: TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-666, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції PEMT1,115 за ціною від 24.07 грн до 33.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PEMT1,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
PEMT1,115 | Виробник : NEXPERIA | PEMT1.115 PNP SMD transistors |
товар відсутній |
||||||||
PEMT1,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |