Продукція > NEXPERIA > PEMT1,115

PEMT1,115 Nexperia

Name: PEMT1,115
Brand: Nexperia
SKU: 127061-4
Price: 373.34 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PNP/PNP general purpose double transistor

на замовлення 566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	33.94 грн
16+	21.62 грн
100+	13.50 грн
500+	9.25 грн
1000+	7.09 грн
2000+	6.42 грн
4000+	5.97 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PEMT1,115 Nexperia

Description: TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-666, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції PEMT1,115

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
PEMT1,115	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs	на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
PEMT1,115	Виробник : NEXPERIA	PEMT1.115 PNP SMD transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PEMT1,115	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.