PEMT1,115

PEMT1,115 Nexperia


PEMT1.pdf Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PNP/PNP general purpose double transistor
на замовлення 566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.47 грн
16+21.32 грн
100+13.32 грн
500+9.12 грн
1000+6.99 грн
2000+6.33 грн
4000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMT1,115 Nexperia

Description: TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-666, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції PEMT1,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PEMT1,115 PEMT1,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMT1.pdf Description: TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PEMT1,115 Виробник : NEXPERIA PEMT1.pdf PEMT1.115 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEMT1,115 PEMT1,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMT1.pdf Description: TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.