Продукція > NEXPERIA USA INC. > PEMT1,315

PEMT1,315 Nexperia USA Inc.

Name: PEMT1,315
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 43190672-3
Price: 321.57 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-666

на замовлення 7443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	35.73 грн
15+	21.18 грн
100+	13.42 грн
500+	9.43 грн
1000+	8.41 грн
2000+	7.55 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PEMT1,315 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-666.

Інші пропозиції PEMT1,315

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
PEMT1,315	Виробник : NEXPERIA	Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 200mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PEMT1,315	Виробник : NEXPERIA	PEMT1.315 PNP SMD transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PEMT1,315	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PEMT1,315	Виробник : Nexperia	Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications PEMT1/SOT666/SOT6	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.