Продукція > NEXPERIA > PESD12VL2BT-QR
PESD12VL2BT-QR

PESD12VL2BT-QR Nexperia


Виробник: Nexperia
ESD Protection Diodes / TVS Diodes PESD12VL2BT-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 2708 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.21 грн
15+23.10 грн
100+11.99 грн
500+11.11 грн
1000+7.58 грн
3000+6.62 грн
9000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PESD12VL2BT-QR Nexperia

Description: TVS DIODE 12VWM 37VC TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA), Applications: Telecom, Capacitance @ Frequency: 19pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max), Supplier Device Package: TO-236AB, Bidirectional Channels: 2, Voltage - Breakdown (Min): 14.2V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37V, Power - Peak Pulse: 200W, Power Line Protection: No, Part Status: Active.

Інші пропозиції PESD12VL2BT-QR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PESD12VL2BT-QR Виробник : NEXPERIA PESD12VL2BT-Q/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PESD12VL2BT-QR PESD12VL2BT-QR Виробник : Nexperia USA Inc. Description: TVS DIODE 12VWM 37VC TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA)
Applications: Telecom
Capacitance @ Frequency: 19pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: TO-236AB
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PESD12VL2BT-QR Виробник : NEXPERIA Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 15.8V; 5A; 200W; bidirectional,double; SOT23; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 15.8V
Max. forward impulse current: 5A
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.