на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 72.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PH2520U,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PH2520U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 2100 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PH2520U,115 за ціною від 77.23 грн до 100.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PH2520U,115 | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PH2520U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 2100 µohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
PH2520U,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PH2520U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 2100 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
 |
PH2520U,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
PH2520U,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK56 |
товару немає в наявності |