PH2925U,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 39.98 грн |
| 3000+ | 37.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PH2925U,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PH2925U,115 за ціною від 32.63 грн до 169.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PH2925U,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PH2925U,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V |
на замовлення 5055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PH2925U,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 25V .1A |
на замовлення 7760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PH2925U,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PH2925U,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |