Продукція > NEXPERIA USA INC. > PH2925U,115
PH2925U,115

PH2925U,115 Nexperia USA Inc.

PH2925U.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+36.22 грн
3000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PH2925U,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PH2925U,115 за ціною від 31.63 грн до 191.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PH2925U,115 PH2925U,115 NEXPERIA PH2925U.pdf Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.47 грн
500+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PH2925U,115 PH2925U,115 Nexperia USA Inc. PH2925U.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.77 грн
10+69.67 грн
100+49.40 грн
500+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PH2925U,115 PH2925U,115 Nexperia PH2925U.pdf MOSFETs PH2925U/SOT669/LFPAK
на замовлення 8630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.90 грн
10+80.14 грн
100+46.78 грн
500+37.01 грн
1000+34.36 грн
1500+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PH2925U,115 PH2925U,115 NEXPERIA PH2925U.pdf Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.44 грн
10+122.20 грн
100+81.47 грн
500+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PH2925U,115 PH2925U.pdf
PH2925U,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+81.47 грн
500+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PH2925U,115 PH2925U.pdf
PH2925U,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.77 грн
10+69.67 грн
100+49.40 грн
500+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PH2925U,115 PH2925U.pdf
PH2925U,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PH2925U/SOT669/LFPAK
на замовлення 8630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+127.90 грн
10+80.14 грн
100+46.78 грн
500+37.01 грн
1000+34.36 грн
1500+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PH2925U,115 PH2925U.pdf
PH2925U,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+191.44 грн
10+122.20 грн
100+81.47 грн
500+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.