Продукція > NEXPERIA USA INC. > PH2925U,115
PH2925U,115

PH2925U,115 Nexperia USA Inc.

PH2925U.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+36.13 грн
3000+33.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PH2925U,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 62.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Інші пропозиції PH2925U,115 за ціною від 39.64 грн до 88.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PH2925U,115 PH2925U,115 Nexperia USA Inc. PH2925U.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+69.52 грн
100+49.29 грн
500+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PH2925U,115 PH2925U,115 Nexperia PH2925U.pdf MOSFETs PH2925U/SOT669/LFPAK
на замовлення 6863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PH2925U,115 PH2925U,115 NEXPERIA PH2925U.pdf Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PH2925U,115 PH2925U,115 NEXPERIA PH2925U.pdf Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PH2925U,115 PH2925U.pdf
PH2925U,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.57 грн
10+69.52 грн
100+49.29 грн
500+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PH2925U,115 PH2925U.pdf
PH2925U,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PH2925U/SOT669/LFPAK
на замовлення 6863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PH2925U,115 PH2925U.pdf
PH2925U,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PH2925U,115 PH2925U.pdf
PH2925U,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.