PHB191NQ06LT,118

PHB191NQ06LT,118 Nexperia USA Inc.


PHB191NQ06LT.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7665 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+90.48 грн
1600+87.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB191NQ06LT,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7665 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PHB191NQ06LT,118 за ціною від 84.60 грн до 227.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PHB191NQ06LT,118 PHB191NQ06LT,118 Виробник : Nexperia PHB191NQ06LT.pdf MOSFETs PHB191NQ06LT/SOT404/D2PAK
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.87 грн
10+170.05 грн
100+107.41 грн
500+86.07 грн
800+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PHB191NQ06LT,118 PHB191NQ06LT,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB191NQ06LT.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7665 pF @ 25 V
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.60 грн
10+150.89 грн
100+109.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PHB191NQ06LT,118 PHB191NQ06LT,118 Виробник : NEXPERIA 269117473679760phb191nq06lt.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.