Продукція > NEXPERIA > PHB20N06T,118

PHB20N06T,118 NEXPERIA

PHGLS19797-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NEXPERIA
PHB20N06T.118 SMD N channel transistors
на замовлення 658 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.89 грн
24+47.18 грн
65+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB20N06T,118 NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 483 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PHB20N06T,118 за ціною від 82.14 грн до 82.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PHB20N06T,118 Виробник : NXP Semiconductors PHGLS19797-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 55V 20.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
377+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 377
В кошику  од. на суму  грн.
PHB20N06T,118 PHB20N06T,118 Виробник : NEXPERIA 2152628438684666phb20n06t.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 20.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB20N06T,118 PHB20N06T,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHGLS19797-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 483 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB20N06T,118 PHB20N06T,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHGLS19797-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 483 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB20N06T,118 PHB20N06T,118 Виробник : Nexperia PHB20N06T-2938500.pdf MOSFETs RAIL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.