Продукція > NEXPERIA USA INC. > PHB21N06LT,118
PHB21N06LT,118

PHB21N06LT,118 Nexperia USA Inc.

PHB_PHD_PHP21N06LT.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+33.87 грн
1600+29.92 грн
2400+28.55 грн
4000+25.34 грн
5600+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB21N06LT,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PHB21N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 56W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.

Інші пропозиції PHB21N06LT,118 за ціною від 44.15 грн до 122.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PHB21N06LT,118 PHB21N06LT,118 Nexperia phbphdphp21n06lt.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB21N06LT,118 PHB21N06LT,118 Nexperia USA Inc. PHB_PHD_PHP21N06LT.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 7644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+66.12 грн
100+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB21N06LT,118 PHB21N06LT,118 NEXPERIA NEXP-S-A0002882631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PHB21N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB21N06LT,118 PHB21N06LT,118 NEXPERIA NEXP-S-A0002882631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PHB21N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB21N06LT,118 NXP Semiconductors PHB_PHD_PHP21N06LT.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB21N06LT,118 phbphdphp21n06lt.pdf
PHB21N06LT,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+68.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB21N06LT,118 PHB_PHD_PHP21N06LT.pdf
PHB21N06LT,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 7644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.95 грн
10+66.12 грн
100+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB21N06LT,118 NEXP-S-A0002882631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PHB21N06LT,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHB21N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB21N06LT,118 NEXP-S-A0002882631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PHB21N06LT,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHB21N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB21N06LT,118 PHB_PHD_PHP21N06LT.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+122.58 грн
500+110.32 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.