PHB27NQ10T,118

PHB27NQ10T,118 Nexperia USA Inc.


PHB27NQ10T.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+43.96 грн
1600+42.11 грн
2400+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB27NQ10T,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PHB27NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PHB27NQ10T,118 за ціною від 38.56 грн до 118.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T,118 Виробник : NEXPERIA PHB27NQ10T.pdf Description: NEXPERIA - PHB27NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.93 грн
500+47.71 грн
1000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB27NQ10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 25 V
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.97 грн
10+90.29 грн
100+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T,118 Виробник : NEXPERIA PHB27NQ10T.pdf Description: NEXPERIA - PHB27NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.48 грн
10+97.07 грн
100+63.93 грн
500+47.71 грн
1000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T,118 Виробник : Nexperia PHB27NQ10T.pdf MOSFETs N-channel TrenchMOS standard level FET
на замовлення 7252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.35 грн
10+93.50 грн
100+55.94 грн
250+55.87 грн
500+39.09 грн
800+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T.pdf
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T,118 Виробник : Nexperia 2120826502280215phb27nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T,118 Виробник : NEXPERIA 2120826502280215phb27nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB27NQ10T,118 Виробник : NEXPERIA PHB27NQ10T.pdf PHB27NQ10T.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.