PHB27NQ10T,118

PHB27NQ10T,118 Nexperia USA Inc.


PHB27NQ10T.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+41.71 грн
1600+39.46 грн
2400+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB27NQ10T,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PHB27NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PHB27NQ10T,118 за ціною від 39.01 грн до 119.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T,118 Виробник : NEXPERIA PHB27NQ10T.pdf Description: NEXPERIA - PHB27NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.67 грн
500+48.26 грн
1000+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB27NQ10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 25 V
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.20 грн
10+84.97 грн
100+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T,118 Виробник : NEXPERIA PHB27NQ10T.pdf Description: NEXPERIA - PHB27NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.82 грн
10+98.20 грн
100+64.67 грн
500+48.26 грн
1000+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T,118 Виробник : Nexperia PHB27NQ10T.pdf MOSFETs N-channel TrenchMOS standard level FET
на замовлення 7252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.73 грн
10+94.59 грн
100+56.60 грн
250+56.52 грн
500+39.54 грн
800+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T.pdf
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T,118 Виробник : Nexperia 2120826502280215phb27nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB27NQ10T,118 PHB27NQ10T,118 Виробник : NEXPERIA 2120826502280215phb27nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB27NQ10T,118 Виробник : NEXPERIA PHB27NQ10T.pdf PHB27NQ10T.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.