Продукція > NEXPERIA USA INC. > PHB29N08T,118
PHB29N08T,118

PHB29N08T,118 Nexperia USA Inc.

PHB29N08T.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 11V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 11V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+37.35 грн
1600+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB29N08T,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 11V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 11V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PHB29N08T,118 за ціною від 48.39 грн до 141.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PHB29N08T,118 PHB29N08T,118 Nexperia 2118901981311217phb29n08t.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHB29N08T,118 Nexperia 2118901981311217phb29n08t.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+78.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHB29N08T,118 Nexperia USA Inc. PHB29N08T.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 11V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 11V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.05 грн
10+72.02 грн
100+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHB29N08T,118 Nexperia 2118901981311217phb29n08t.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.75 грн
500+127.58 грн
1000+117.65 грн
10000+101.15 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHB29N08T,118 Nexperia PHB29N08T.pdf MOSFETs PHB29N08T/SOT404/D2PAK
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 NXP Semiconductors PHB29N08T.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.75 грн
500+127.58 грн
1000+117.65 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 NXP Semiconductors PHB29N08T.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.75 грн
500+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 NEXPERIA PHGLS20008-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PHB29N08T,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 2118901981311217phb29n08t.pdf
PHB29N08T,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 2118901981311217phb29n08t.pdf
PHB29N08T,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+78.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHB29N08T.pdf
PHB29N08T,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 11V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 11V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.05 грн
10+72.02 грн
100+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 2118901981311217phb29n08t.pdf
PHB29N08T,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+141.75 грн
500+127.58 грн
1000+117.65 грн
10000+101.15 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHB29N08T.pdf
PHB29N08T,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs PHB29N08T/SOT404/D2PAK
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHB29N08T.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+141.75 грн
500+127.58 грн
1000+117.65 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHB29N08T.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+141.75 грн
500+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHGLS20008-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHB29N08T,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.