Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > PHB29N08T,118
PHB29N08T,118

PHB29N08T,118 NXP Semiconductors

PHGLS20008-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PHB29N08T - 27A, 75V, 0
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 11V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 11V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
638+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 638
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB29N08T,118 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA PHB29N08T - 27A, 75V, 0, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 11V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 11V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PHB29N08T,118 за ціною від 32.81 грн до 135.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PHB29N08T,118 PHB29N08T,118 Виробник : Nexperia 2118901981311217phb29n08t.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1600+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHB29N08T,118 Виробник : Nexperia 2118901981311217phb29n08t.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHB29N08T,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB29N08T.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 11V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 11V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+43.06 грн
1600+38.12 грн
2400+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHB29N08T,118 Виробник : Nexperia PHGLS20008-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw PHB29N08T.pdf MOSFETs PHB29N08T/SOT404/D2PAK
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.04 грн
10+76.80 грн
100+47.41 грн
500+45.80 грн
800+33.69 грн
2400+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHB29N08T,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB29N08T.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 11V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 11V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
на замовлення 3734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.76 грн
10+83.02 грн
100+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHB29N08T,118 Виробник : NEXPERIA 2118901981311217phb29n08t.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 Виробник : NEXPERIA PHGLS20008-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PHB29N08T,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1600+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
PHB29N08T,118 PHB29N08T,118 Виробник : Nexperia 2118901981311217phb29n08t.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.