Продукція > NEXPERIA USA INC. > PHB32N06LT,118
PHB32N06LT,118

PHB32N06LT,118 Nexperia USA Inc.

PHB32N06LT.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+40.80 грн
2400+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB32N06LT,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PHB32N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 97W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PHB32N06LT,118 за ціною від 49.60 грн до 128.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT,118 NEXPERIA PHB32N06LT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 136A; 97W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 97W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
On-state resistance: 43mΩ
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.77 грн
10+84.70 грн
25+78.83 грн
100+75.48 грн
250+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT,118 Nexperia USA Inc. PHB32N06LT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
на замовлення 9867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.72 грн
50+59.18 грн
100+49.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT,118 Nexperia PHB32N06LT.pdf MOSFETs PHB32N06LT/SOT404/D2PAK
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT,118 NEXPERIA 2341449.pdf Description: NEXPERIA - PHB32N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT,118 NEXPERIA 2341449.pdf Description: NEXPERIA - PHB32N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT.pdf
PHB32N06LT,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 136A; 97W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 97W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
On-state resistance: 43mΩ
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.77 грн
10+84.70 грн
25+78.83 грн
100+75.48 грн
250+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT.pdf
PHB32N06LT,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
на замовлення 9867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.55 грн
10+78.72 грн
50+59.18 грн
100+49.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT.pdf
PHB32N06LT,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs PHB32N06LT/SOT404/D2PAK
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 2341449.pdf
PHB32N06LT,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHB32N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 2341449.pdf
PHB32N06LT,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHB32N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.