Продукція > NEXPERIA USA INC. > PHB32N06LT,118
PHB32N06LT,118

PHB32N06LT,118 Nexperia USA Inc.

PHB32N06LT.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+40.83 грн
1600+36.14 грн
2400+34.53 грн
4000+30.70 грн
5600+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB32N06LT,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 97W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PHB32N06LT,118 за ціною від 52.90 грн до 128.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT,118 Nexperia USA Inc. PHB32N06LT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
на замовлення 7424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.72 грн
100+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT,118 Nexperia PHB32N06LT.pdf MOSFETs PHB32N06LT/SOT404/D2PAK
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT.pdf
PHB32N06LT,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
на замовлення 7424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.55 грн
10+78.72 грн
100+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT.pdf
PHB32N06LT,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs PHB32N06LT/SOT404/D2PAK
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.