Продукція > NEXPERIA > PHB32N06LT,118
PHB32N06LT,118

PHB32N06LT,118 NEXPERIA

2157052471940649phb32n06lt.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB32N06LT,118 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PHB32N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 97W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PHB32N06LT,118 за ціною від 32.26 грн до 142.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT,118 Виробник : NEXPERIA 2341449.pdf Description: NEXPERIA - PHB32N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.39 грн
500+38.44 грн
1000+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT,118 Виробник : NEXPERIA 2341449.pdf Description: NEXPERIA - PHB32N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.04 грн
11+87.28 грн
100+63.39 грн
500+38.44 грн
1000+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT,118 Виробник : Nexperia PHB32N06LT.pdf MOSFETs SOT404 N-CH 60V 34A
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.60 грн
10+82.29 грн
100+52.83 грн
500+48.27 грн
800+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB32N06LT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.74 грн
10+80.13 грн
100+53.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 Виробник : NEXPERIA PHB32N06LT.pdf PHB32N06LT.118 SMD N channel transistors
на замовлення 499 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.23 грн
14+87.05 грн
38+82.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PHB32N06LT,118 PHB32N06LT,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB32N06LT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.